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SUD50N04-09H
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
2.0
100
V GS = 10 V
I D = 20 A
1.7
T J = 150 °C
1.4
1.1
0.8
10
T J = 25 °C
0.5
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
80
200
Limited by r DS(on)
70
60
100
10 μs
100 μs
50
40
30
20
Limited By Package
10
1
T C = 25 °C
1 ms
10 ms
100 ms
dc
Single Pulse
10
0
0.1
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1 10 100
2
1
T C - Case Temperature (°C)
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS > minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
1K
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 72669
S-71661-Rev. E, 06-Aug-07
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